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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。
氮化镓衬底是一种重要的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高电子迁移率、高热导率等优异特性,广泛应用于电力电子器件、射频器件、光电器件等领域。氮化镓衬底的质量直接影响后续外延生长和器件性能,因此对其晶体质量、电学性能、光学性能等进行检测具有重要意义。检测机构依据相关国家标准和行业规范,采用多种分析测试手段,对氮化镓衬底的各项性能指标进行全面评估,为客户提供客观、准确的检测数据。
| 序号 | 标准号 | 标准名称 | 类别 | 发布日期 | CCS分类 | ICS分类 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | YS/T 1653-2023 | 氮化镓衬底片 | (CN-YS)行业标准-有色金属 | 2023-12-20 | H83化合物半导体材料 | 29.045半导体材料 |
| 2 | GB/T 37053-2018 | 氮化镓外延片及衬底片通用规范 | (CN-GB)国家标准 | 2018-12-28 | H83化合物半导体材料 | 29.045半导体材料 |
| 3 | GB/T 41751-2022 | 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法 | (CN-GB)国家标准 | 2022-10-12 | H21金属物理性能试验方法 | 77.040金属材料试验 |
| 4 | GB/T 36705-2018 | 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法 | (CN-GB)国家标准 | 2018-09-17 | H21金属物理性能试验方法 | 77.040金属材料试验 |
| 5 | GB/T 32188-2015 | 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 | (CN-GB)国家标准 | 2015-12-10 | H21金属物理性能试验方法 | 77.040金属材料试验 |
| 6 | GB/T 32189-2015 | 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法 | (CN-GB)国家标准 | 2015-12-10 | H21金属物理性能试验方法 | 77.040金属材料试验 |
| 7 | SJ/T 11396-2009 | 氮化镓基发光二极管用蓝宝石衬底片 | (CN-SJ)行业标准-电子 | 2009-11-17 | H83化合物半导体材料 | 29.045半导体材料 |
| 8 | T/CASAS 060-2025 | 用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片 | (CN-TUANTI)团体标准 | 2025-08-29 | C39医用电子仪器设备 | |
| 9 | KS C IEC 63229 | 반도체 소자 — 탄화규소 기판 상의 질화갈륨 에피택셜 필름의 결함 분류 | (KR-KS)韩国标准 | 2025-01-31 | 31.080.99其他半导体分立器件 | |
| 10 | KS C IEC 63229-2025 | 반도체 소자 — 탄화규소 기판 상의 질화갈륨 에피택셜 필름의 결함 분류 | (KR-KS)韩国标准 | 2025-01-31 | 31.080.99其他半导体分立器件 | |
| 11 | IEC 63229:2021 | Semiconductor devices - Classification of defects in gallium nitride epitaxial film on silicon carbide substrate | (IX-IEC)国际电工委员会 | 2021-04-07 | 31.080.99其他半导体分立器件 | |
| 12 | GB/T 37466-2019 | 氮化镓激光剥离设备 | (CN-GB)国家标准 | 2019-06-04 | L95电子工业生产设备综合 | 91.140建筑物中的设施 |
| 13 | GB/T 30856-2025 | LED外延芯片用砷化镓衬底 | (CN-GB)国家标准 | 2025-08-01 | H83化合物半导体材料 | 29.045半导体材料 |
| 14 | GB/T 30855-2014 | LED外延芯片用磷化镓衬底 | (CN-GB)国家标准 | 2014-07-24 | H83化合物半导体材料 | 29.045半导体材料 |
| 15 | GB/T 47901-2026 | 激光器外延芯片用砷化镓衬底 | (CN-GB)国家标准 | 2026-07-02 | H83化合物半导体材料 | 29.045半导体材料 |
| 16 | GB/T 30854-2014 | LED发光用氮化镓基外延片 | (CN-GB)国家标准 | 2014-07-24 | H83化合物半导体材料 | 29.045半导体材料 |
| 17 | YS/T 1744-2025 | 半绝缘砷化镓单晶衬底片 | (CN-YS)行业标准-有色金属 | 2025-04-10 | H83化合物半导体材料 | 29.045半导体材料 |
| 18 | GB/T 39144-2020 | 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法 | (CN-GB)国家标准 | 2020-10-11 | H17半金属及半导体材料分析方法 | 77.040金属材料试验 |
| 19 | SJ 21534-2018 | 微波功率器件用氮化镓外延片规范 | (CN-SJ)行业标准-电子 | H83化合物半导体材料 | 29.045半导体材料 | |
| 20 | GB/T 32282-2015 | 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法 | (CN-GB)国家标准 | 2015-12-10 | H21金属物理性能试验方法 | 77.040金属材料试验 |
氮化镓衬底作为第三代半导体材料的重要组成部分,其质量检测对于保障器件性能具有关键作用。通过对晶体结构、电学性能、光学性能、表面质量等多方面的检测,可以全面评估氮化镓衬底的材料品质,为后续的外延生长和器件制造提供可靠的数据支撑。检测机构将持续完善检测能力,提升服务水平,为氮化镓半导体产业的发展贡献力量。
以上是关于氮化镓衬底检测的简单介绍,所述标准、项目、方法、仪器等仅供参考,具体以工程师为准,有问题可随时咨询。
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