检测信息(部分)
氮化镓衬底是一种重要的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高电子迁移率、高热导率等优异特性,广泛应用于电力电子器件、射频器件、光电器件等领域。氮化镓衬底的质量直接影响后续外延生长和器件性能,因此对其晶体质量、电学性能、光学性能等进行检测具有重要意义。检测机构依据相关国家标准和行业规范,采用多种分析测试手段,对氮化镓衬底的各项性能指标进行全面评估,为客户提供客观、准确的检测数据。
检测范围(部分)
- 自支撑氮化镓衬底
- 氮化镓同质外延衬底
- 氮化镓异质外延衬底
- 蓝宝石基氮化镓衬底
- 硅基氮化镓衬底
- 碳化硅基氮化镓衬底
- 氮化镓单晶衬底
- 氮化镓多晶衬底
- n型氮化镓衬底
- p型氮化镓衬底
- 半绝缘氮化镓衬底
- 掺杂氮化镓衬底
- 非掺杂氮化镓衬底
- 氮化镓晶圆
- 氮化镓晶片
- 氮化镓薄膜衬底
- 氮化镓厚膜衬底
- 氮化镓复合衬底
- 氮化镓图形化衬底
- 氮化镓模板衬底
- 氮化镓缓冲层衬底
- 氮化镓基板
检测标准(部分)
| 序号 | 标准号 | 标准名称 | 类别 | 发布日期 | CCS分类 | ICS分类 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | YS/T 1653-2023 | 氮化镓衬底片 | (CN-YS)行业标准-有色金属 | 2023-12-20 | H83化合物半导体材料 | 29.045半导体材料 |
| 2 | GB/T 37053-2018 | 氮化镓外延片及衬底片通用规范 | (CN-GB)国家标准 | 2018-12-28 | H83化合物半导体材料 | 29.045半导体材料 |
| 3 | GB/T 41751-2022 | 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法 | (CN-GB)国家标准 | 2022-10-12 | H21金属物理性能试验方法 | 77.040金属材料试验 |
| 4 | GB/T 36705-2018 | 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法 | (CN-GB)国家标准 | 2018-09-17 | H21金属物理性能试验方法 | 77.040金属材料试验 |
| 5 | GB/T 32188-2015 | 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 | (CN-GB)国家标准 | 2015-12-10 | H21金属物理性能试验方法 | 77.040金属材料试验 |
| 6 | GB/T 32189-2015 | 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法 | (CN-GB)国家标准 | 2015-12-10 | H21金属物理性能试验方法 | 77.040金属材料试验 |
| 7 | SJ/T 11396-2009 | 氮化镓基发光二极管用蓝宝石衬底片 | (CN-SJ)行业标准-电子 | 2009-11-17 | H83化合物半导体材料 | 29.045半导体材料 |
| 8 | T/CASAS 060-2025 | 用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片 | (CN-TUANTI)团体标准 | 2025-08-29 | C39医用电子仪器设备 | |
| 9 | KS C IEC 63229 | 반도체 소자 — 탄화규소 기판 상의 질화갈륨 에피택셜 필름의 결함 분류 | (KR-KS)韩国标准 | 2025-01-31 | 31.080.99其他半导体分立器件 | |
| 10 | KS C IEC 63229-2025 | 반도체 소자 — 탄화규소 기판 상의 질화갈륨 에피택셜 필름의 결함 분류 | (KR-KS)韩国标准 | 2025-01-31 | 31.080.99其他半导体分立器件 | |
| 11 | IEC 63229:2021 | Semiconductor devices - Classification of defects in gallium nitride epitaxial film on silicon carbide substrate | (IX-IEC)国际电工委员会 | 2021-04-07 | 31.080.99其他半导体分立器件 | |
| 12 | GB/T 37466-2019 | 氮化镓激光剥离设备 | (CN-GB)国家标准 | 2019-06-04 | L95电子工业生产设备综合 | 91.140建筑物中的设施 |
| 13 | GB/T 30856-2025 | LED外延芯片用砷化镓衬底 | (CN-GB)国家标准 | 2025-08-01 | H83化合物半导体材料 | 29.045半导体材料 |
| 14 | GB/T 30855-2014 | LED外延芯片用磷化镓衬底 | (CN-GB)国家标准 | 2014-07-24 | H83化合物半导体材料 | 29.045半导体材料 |
| 15 | GB/T 47901-2026 | 激光器外延芯片用砷化镓衬底 | (CN-GB)国家标准 | 2026-07-02 | H83化合物半导体材料 | 29.045半导体材料 |
| 16 | GB/T 30854-2014 | LED发光用氮化镓基外延片 | (CN-GB)国家标准 | 2014-07-24 | H83化合物半导体材料 | 29.045半导体材料 |
| 17 | YS/T 1744-2025 | 半绝缘砷化镓单晶衬底片 | (CN-YS)行业标准-有色金属 | 2025-04-10 | H83化合物半导体材料 | 29.045半导体材料 |
| 18 | GB/T 39144-2020 | 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法 | (CN-GB)国家标准 | 2020-10-11 | H17半金属及半导体材料分析方法 | 77.040金属材料试验 |
| 19 | SJ 21534-2018 | 微波功率器件用氮化镓外延片规范 | (CN-SJ)行业标准-电子 | H83化合物半导体材料 | 29.045半导体材料 | |
| 20 | GB/T 32282-2015 | 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法 | (CN-GB)国家标准 | 2015-12-10 | H21金属物理性能试验方法 | 77.040金属材料试验 |
检测项目(部分)
- 晶体结构分析:表征氮化镓的晶体结构和晶相组成
- 位错密度检测:评估晶体中的线缺陷数量
- 表面粗糙度测量:反映衬底表面的平整程度
- 厚度测量:确定衬底的几何尺寸
- 载流子浓度测试:测定材料中的载流子数量
- 迁移率测试:评估载流子在电场作用下的运动能力
- 电阻率测试:表征材料的导电特性
- 纯度分析:检测材料的化学纯度
- 杂质含量检测:分析材料中杂质元素的种类和含量
- 晶格常数测量:确定晶体的晶格参数
- 热导率测试:表征材料的热传导性能
- 热膨胀系数:评估材料的热学稳定性
- 硬度测试:测定材料的机械强度
- 透光率测试:表征材料的光学透过性能
- 折射率测量:确定材料的光学常数
- 光致发光测试:分析材料的发光特性
- 霍尔效应测试:测量材料的电学参数
- X射线衍射分析:表征晶体的结晶质量
- 表面形貌检测:观察衬底表面的微观形貌
- 表面缺陷检测:识别表面存在的各类缺陷
- 晶圆翘曲度测量:评估衬底的平整性
- 颗粒污染检测:分析表面颗粒物污染情况
检测仪器(部分)
- X射线衍射仪
- 原子力显微镜
- 扫描电子显微镜
- 透射电子显微镜
- 霍尔效应测试仪
- 光致发光测试系统
- 傅里叶变换红外光谱仪
- 拉曼光谱仪
- 四探针测试仪
- 椭偏仪
- 表面轮廓仪
- 金相显微镜
检测方法(部分)
- X射线衍射法
- 霍尔效应测量法
- 光致发光光谱法
- 拉曼光谱分析法
- 原子力显微镜法
- 电子显微镜观察法
- 四探针测量法
- 椭偏测量法
- 化学腐蚀法
- 阴极发光法
- 二次离子质谱法
- 电感耦合等离子体发射光谱法
总结
氮化镓衬底作为第三代半导体材料的重要组成部分,其质量检测对于保障器件性能具有关键作用。通过对晶体结构、电学性能、光学性能、表面质量等多方面的检测,可以全面评估氮化镓衬底的材料品质,为后续的外延生长和器件制造提供可靠的数据支撑。检测机构将持续完善检测能力,提升服务水平,为氮化镓半导体产业的发展贡献力量。
QUALIFICATIONS & HONORS
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资质与荣誉
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